เพสต์สำหรับการเผาที่อุณหภูมิสูง (High-temperature Firing Pastes)
เพสต์ตัวต้านทาน LaB₆
(LaB₆ Resistive Pastes)
รายละเอียดสินค้า
คุณสมบัติ
-
ค่าสัมประสิทธิ์การเปลี่ยนแปลงความต้านทานตามอุณหภูมิต่ำ
(Low Temperature Coefficient of Resistance (TCR))
ด้วยค่าสัมประสิทธิ์การเปลี่ยนแปลงความต้านทานตามอุณหภูมิ (TCR) ที่ต่ำ เพสต์ชนิดนี้จึงมีการเปลี่ยนแปลงค่าความต้านทานน้อยเมื่ออุณหภูมิเปลี่ยนแปลง ช่วยให้สามารถรักษาความแม่นยำในการทำงานได้อย่างดีเยี่ยม แม้ในช่วงค่าความต้านทานระดับปานกลางถึงสูง।
ข้อกำหนด
|
ซีรีส์
|
รุ่น
|
ความต้านทานแผ่น
(Ω/□ @ 20 μm) |
TCR (ppm/°C) |
ความหนืด
(Pa·s) |
ความหนาหลังการเผา
(μm) |
พื้นที่การเคลือบ
(cm²/g) |
ซับสเตรตที่รองรับ
|
อิเล็กโทรดที่รองรับ
|
สภาวะการเผาที่แนะนำ
|
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A | LB3A | 3 | +300 | 50～100 | 18～20 | 96 | Al₂O₃ | Cu | 850℃, 10min, in N₂ |
| LB10A | 10 | +170 | 50～100 | 18～20 | 102 | Al₂O₃ | Cu | 850℃, 10min, in N₂ | |
| LB100A | 100 | +40 | 50～100 | 18～20 | 109 | Al₂O₃ | Cu | 850℃, 10min, in N₂ | |
| LB1kA | 1000 | -10 | 50～100 | 18～20 | 114 | Al₂O₃ | Cu | 850℃, 10min, in N₂ | |
| N | LB20N | 20 | +200 | 50～100 | 22～25 | 105 | AlN | Ag | 820℃, 10min, in Air |
| LB100N | 100 | +70 | 50～100 | 22～25 | 108 | AlN | Ag | 820℃, 10min, in Air | |
| LB1kN | 1000 | +10 | 50～100 | 22～25 | 113 | AlN | Ag | 820℃, 10min, in Air |
ตัวอย่างการใช้งาน
-
- ตัวต้านทานชิปสำหรับช่วงค่าความต้านทานระดับปานกลางถึงสูง (Chip Resistors (Medium- to High-Resistance Range))
- ซับสเตรตแพ็กเกจ LED (LED Package Substrates)
วิดีโอแนะนำผลิตภัณฑ์
-
เพสต์ตัวต้านทาน (Resistive Pastes)
ข้อควรระวัง
โปรดศึกษาข้อมูลในเอกสารข้อมูลความปลอดภัย (SDS) ของแต่ละผลิตภัณฑ์ก่อนการใช้งาน