nemu

CUX™ เพสต์ซินเทอริงทองแดงสำหรับการยึดติดชิป (CUX™ Copper Sintering Paste for Die Attachment)

CUX™ เพสต์ซินเทอริงทองแดงสำหรับการยึดติดชิป
(CUX™ Copper Sintering Paste for Die Attachment)

  • CUX™ เพสต์ซินเทอริงทองแดงสำหรับการยึดติดชิป<br>(CUX™ Copper Sintering Paste for Die Attachment)サムネイル1
  • CUX™ เพสต์ซินเทอริงทองแดงสำหรับการยึดติดชิป<br>(CUX™ Copper Sintering Paste for Die Attachment)サムネイル1

ผลิตภัณฑ์เพสต์ซินเทอริงทองแดงสำหรับการยึดติดชิป (Die Attachment) ของ Mitsuboshi Belting ได้รับการพัฒนาขึ้นจากการผสานองค์ความรู้ด้านเพสต์ทองแดงและเทคโนโลยีเพสต์ซินเทอริงของบริษัท ทำให้มีประสิทธิภาพการซินเทอริงที่ยอดเยี่ยมภายใต้บรรยากาศก๊าซเฉื่อย และให้ความน่าเชื่อถือสูงในการยึดติด

แตกต่างจากแนวทางการผลิตแบบดั้งเดิมที่ต้องใช้บรรยากาศไฮโดรเจนหรือกรดฟอร์มิก ผลิตภัณฑ์นี้สามารถดำเนินกระบวนการยึดติดได้ภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน (N₂) หรือสภาวะสุญญากาศ (Vacuum)

นอกจากพื้นผิวเมทัลไลเซชันทองแดง (Cu Metallization) แล้ว ยังสามารถใช้งานได้กับพื้นผิวเมทัลไลเซชันทองคำ (Au Metallization) และเงิน (Ag Metallization) ได้อีกด้วย

รายละเอียดสินค้า

คุณสมบัติ

รองรับการยึดติดภายใต้บรรยากาศก๊าซเฉื่อย (N₂) หรือสภาวะสุญญากาศ
(Bonding Under Inert Gas (N₂) or Vacuum Conditions)

สามารถดำเนินกระบวนการยึดติดภายใต้บรรยากาศไนโตรเจน (N₂) หรือสภาวะสุญญากาศ (Vacuum) ได้ โดยไม่จำเป็นต้องใช้บรรยากาศรีดิวซิง เช่น ไฮโดรเจนหรือกรดฟอร์มิก ช่วยลดความซับซ้อนของกระบวนการผลิตและเพิ่มความปลอดภัยในการปฏิบัติงาน

รองรับการซินเทอริงที่อุณหภูมิต่ำ
(Low-Temperature Sintering)

สามารถใช้งานในกระบวนการซินเทอริงที่อุณหภูมิ 230°C ได้ ช่วยรองรับการผลิตที่อุณหภูมิต่ำ พร้อมลดผลกระทบจากความร้อนต่อวัสดุและชิ้นส่วนต่างๆ

ความน่าเชื่อถือสูงในการยึดติด
(High Bonding Reliability)

แสดงความน่าเชื่อถือในการยึดติดที่ยอดเยี่ยมภายใต้เงื่อนไขการทดสอบดังต่อไปนี้

  • ซับสเตรตทองแดง: 18 มม. × 18 มม.
  • ชิปทองแดง: 3 มม. × 3 มม.
  • ไม่มีการห่อหุ้มด้วยเรซิน (Without Resin Molding)
  • การทดสอบ Thermal Cycling: -55°C ↔ 150°C (คงอุณหภูมิต่ำและอุณหภูมิสูงอย่างละ 30 นาที)

  • <small>สภาวะการซินเทอริง: 100°C, 10 นาที (อากาศ) → 260°C, 10 MPa, 5 นาที (N₂)</small>

    สภาวะการซินเทอริง: 100°C, 10 นาที (อากาศ) → 260°C, 10 MPa, 5 นาที (N₂)

ข้อกำหนด

รุ่น
ค่าความต้านทานไฟฟ้าจำเพาะ
DSS (แรงยึดเฉือนของชิป)
การนำความร้อน
สภาวะการซินเทอริง
การใช้งาน
Y001 <6μΩ·cm >30 MPa (230℃, 10MPa, 5min, N₂) >250 W/m·K >10MPa, ≧230℃, >5min
อุปกรณ์กำลัง (Die Attachment)

ตัวอย่างการใช้งาน

ข้อควรระวัง

  • ข้อมูลที่ระบุเป็นค่าทั่วไป (Typical Values) ซึ่งใช้เพื่อการอ้างอิงเท่านั้น และไม่ได้เป็นการรับประกันสมรรถนะหรือคุณภาพของผลิตภัณฑ์
  • ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง