ซับสเตรตแบบเติมรูเวีย
(Via-filling Substrate)

รายละเอียดสินค้า

คุณสมบัติ

• โครงสร้างรูเวียที่มีความน่าเชื่อถือและสมรรถนะสูง
  (Highly Reliable and High-Performance Via-Filled Structures)
  การเติมรูเวียได้อย่างสม่ำเสมอโดยมีโพรงอากาศ (Voids) และช่องว่างน้อย ช่วยให้ยึดเกาะกับซับสเตรตได้อย่างดีเยี่ยม โครงสร้างที่ได้มีทั้งความน่าเชื่อถือทางไฟฟ้าและความแข็งแรงเชิงกลสูง เหมาะสำหรับงานที่ต้องการการเดินลายวงจรความหนาแน่นสูงและประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดี

  พื้นผิวซับสเตรตราบเรียบ รองรับการติดตั้งชิ้นส่วนได้ดีขึ้น
  (Smooth Substrate Surface for Improved Mountability)
  สามารถปรับแต่งพื้นผิวซับสเตรตให้มีความเรียบสูง ทำให้สามารถติดตั้งชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์เหนือบริเวณรูเวียที่เติมแล้วได้โดยตรง ช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นในการออกแบบและใช้พื้นที่บนซับสเตรตได้อย่างมีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น

  สอดคล้องกับข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม
  (Compliance with Environmental Regulations)
  เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS 2 Directive ช่วยลดผลกระทบต่อสิ่งแวดล้อม และสามารถนำไปใช้งานได้อย่างมั่นใจในผลิตภัณฑ์ที่ต้องการความสอดคล้องกับมาตรฐานด้านสิ่งแวดล้อมสากล।

ข้อกำหนด

		ซับสเตรตเซรามิก	ซับสเตรตเซรามิก	ซับสเตรตเซรามิก	ซับสเตรตแก้ว	ซับสเตรตแก้ว	ซับสเตรตอินทรีย์
ซับสเตรต	วัสดุซับสเตรต	AlN, Al₂O₃, SiN			Quartz glass, Alkali-free glass		Glass epoxy
	ขนาด / ความหนา	2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm			2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm		2×2～4.5×4.5 inch, 0.2～1.0 mm
รูเวีย	โลหะที่ใช้เติม	Ag	Cu	Ag-Cu alloy	Ag	Cu	Ag
	เส้นผ่านศูนย์กลางรูเวีย	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～2.0 mm	Φ0.05～1.0 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm	Φ0.05～0.5 mm
	อุณหภูมิการเผา	～900 ℃	～900 ℃	～900 ℃	500～600 ℃	400～800 ℃	200～300 ℃
	บรรยากาศการเผา	Air	N₂	N₂	Air	N₂	Air
	ค่าความต้านทานไฟฟ้าจำเพาะ	3～4 µΩ・cm	5～7 µΩ・cm	10 µΩ・cm	2～4 µΩ・cm	3～6 µΩ・cm	5～8 µΩ・cm
	Aspect Ratio	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0	1.0～10.0
ไม่ขัดผิว	ความเรียบของบริเวณที่เติม	＜±30 µm	＜±30 µm	-	＜±20 µm	＜±20 µm	＜±20 µm
การขัดแบบ LAP	ปริมาณเผื่อสำหรับการขัดที่แนะนำ*	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
	ความเรียบของบริเวณที่เติม	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm	＜±3 µm
การขัดแบบ POL	ปริมาณเผื่อสำหรับการขัดที่แนะนำ*	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm	＞0.15 mm
	ความเรียบของบริเวณที่เติม	＜±2 µm	＜±2 µm	＜±2 µm	-	-
หน้าตัดของรูเวีย
พื้นผิวของรูเวีย

ตัวอย่างการใช้งาน

• ซับสเตรตแพ็กเกจและซับสเตรตโมดูลที่ต้องการความน่าเชื่อถือสูงและประสิทธิภาพการระบายความร้อนที่ดีเยี่ยม
  (Package Substrates and Module Substrates Requiring High Reliability and Efficient Heat Dissipation)

วิดีโอแนะนำผลิตภัณฑ์