nemu

เพสต์สำหรับการเผาที่อุณหภูมิสูง (High-temperature Firing Pastes)

เพสต์ตัวต้านทาน CuNi
(CuNi Resistive Pastes)

  • เพสต์ตัวต้านทาน CuNi<br>(CuNi Resistive Pastes)サムネイル1
  • เพสต์ตัวต้านทาน CuNi<br>(CuNi Resistive Pastes)サムネイル1

เพสต์ตัวต้านทานระบบ CuNi ของเราสามารถรักษาค่าความต้านทานให้มีความเสถียรได้แม้หลังผ่านกระบวนการเผา

รองรับช่วงค่าความต้านทานตั้งแต่ 1 Ω ถึง 10 Ω และเมื่อใช้งานร่วมกับเพสต์นำไฟฟ้าทองแดงและเพสต์แก้วในกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเรา จะช่วยให้สามารถสร้างฟิล์มหลังการเผาที่มีความน่าเชื่อถือสูงยิ่งขึ้น

นอกจากนี้ เรายังให้บริการรับจ้างผลิต เช่น การพิมพ์เพสต์และการเผาบนซับสเตรต โดยสามารถรองรับได้ตั้งแต่การจัดหาวัสดุจนถึงการแปรรูป กรุณาติดต่อเราเพื่อขอข้อมูลเพิ่มเติม

รายละเอียดสินค้า

คุณสมบัติ

ค่า TCR ต่ำ เหมาะสำหรับตัวต้านทานชิปความแม่นยำสูง
(Low TCR, Ideal for High-Precision Chip Resistors)

เพสต์ตัวต้านทานระบบ CuNi เหมาะสำหรับตัวต้านทานชิปสำหรับตรวจวัดกระแส (Current Sensing Chip Resistors) และตัวต้านทานชิปสำหรับการจัดการพลังงาน (Power Management Chip Resistors) โดยมีค่าสัมประสิทธิ์การเปลี่ยนแปลงความต้านทานตามอุณหภูมิ (TCR) ต่ำ จึงสามารถรองรับข้อกำหนดด้านความแม่นยำสูงได้ถึงระดับ ±100 ppm

ความคุ้มค่าสูงด้วยการใช้โลหะพื้นฐาน (Cu/Ni)
(Superior Cost Performance Due to Base Metal (Cu/Ni))

เมื่อเทียบกับเพสต์ที่ใช้โลหะผสม Ag/Pd เป็นองค์ประกอบหลัก เพสต์ Cu/Ni มีต้นทุนวัสดุต่ำกว่า ช่วยลดต้นทุนโดยรวมของผลิตภัณฑ์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ

ปราศจากสารอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม
(Free of Environmentally Hazardous Substances)

พัฒนาสูตรโดยไม่ใช้สารอันตรายต่อสิ่งแวดล้อม รวมถึงสารตะกั่ว (Lead) และสอดคล้องกับข้อกำหนดด้านสิ่งแวดล้อม เช่น RoHS ช่วยให้สามารถนำไปใช้งานได้อย่างมั่นใจในหลากหลายอุตสาหกรรมที่ให้ความสำคัญกับสิ่งแวดล้อมและความปลอดภัยในการใช้งาน।

ข้อกำหนด

ซีรีส์
รุ่น
ความต้านทานแผ่น
(Ω/□ @ 20 μm)
TCR (ppm/°C)
ความหนืด
(Pa·s)
ความหนาหลังการเผา
(μm)
พื้นที่การเคลือบ
(cm²/g)
สภาวะการเผาที่แนะนำ
HTCR CTCR
DH CNR01DH 10 +500±50 +500±50 30~50 18~20 55 900℃, 10min, in N₂
CNR03DH 30 -100±50 -80±50 30~50 18~20 55 900℃, 10min, in N₂
D CNR10D 100 -90±50 -70±50 30~50 20~25 68 900℃, 10min, in N₂
CNR50D 500 -60±50 -30±50 30~50 20~25 76 900℃, 10min, in N₂
CN1R5D 1,500 -40±50 -10±50 30~50 20~25 80 900℃, 10min, in N₂

สามารถผสมซีรีส์ DH ร่วมกับซีรีส์ D เพื่อปรับค่าความต้านทานให้เหมาะสมกับความต้องการในการใช้งานได้

ตัวอย่างการใช้งาน

    • ตัวต้านทานชิปสำหรับตรวจวัดกระแส (Current Sensing Chip Resistors)
    • ตัวต้านทานชิปสำหรับการจัดการพลังงาน (Power Management Chip Resistors)
    • เซรามิกฮีตเตอร์ (Ceramic Heaters)
    • ซับสเตรตวงจรเซรามิกที่มีองค์ประกอบตัวต้านทานอื่นๆ (Other Ceramic Circuit Substrates with Resistive Elements)

วิดีโอแนะนำผลิตภัณฑ์

  • เพสต์ตัวต้านทาน (Resistive Pastes)

ข้อควรระวัง

โปรดศึกษาข้อมูลในเอกสารข้อมูลความปลอดภัย (SDS) ของแต่ละผลิตภัณฑ์ก่อนการใช้งาน